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密度大也使Cu／W具备对室内空间辐射源总使用量(TID)自然环境的屏蔽掉功效，由于要得到一样的屏蔽掉功效，应用的铝薄厚必须是Cu／W的16倍。新式的金属封装材料以及运用除开Cu／W及Cu／Mo之外，传统式金属封装材料全是单一金属或铝合金，他们常有一些不够，无法解决当代封裝的发展趋势。许多密度低、的金属基复合材料特别适合航空公司、航空航天主要用途。但由于其热导率低，电阻率高，密度也较大，使其广泛应用受到了很大限制。金属基复合材料的基体材料有很多种多样，但做为热配对复合材料用以封裝的主要是Cu基和灿基复合材料。材料工作人员在这种材料基本上科学研究和开发设计了很多种多样金属基复合材料(MMC)，他们是以金属(如Mg、Al、Cu、Ti)或金属间化学物质(如TiAl、NiAl)为基体，以颗粒物、晶须、涤纶短纤维或持续化学纤维为提高体的一种复合材料。

 铜、铝纯铜也称之为无氧高导铜(OFHC)，电阻率1．72μΩ·cm，仅次于银。它的热导率为401W(m-1K-1)，从传热的角度看，作为封装壳体是非常理想的，可以使用在需要高热导和／或高电导的封装里，然而，它的CTE高达16．5×10-6K-1，可以在刚性粘接的陶瓷基板上造成很大的热应力。金属封装形式多样、加工灵活，可以和某些部件(如混合集成的A／D或D／A转换器)融合为一体，适合于低I／O数的单芯片和多芯片的用途，也适合于射频、微波、光电、声表面波和大功率器件，可以满足小批量、高可靠性的要求。材料工作者在这些材料基础上研究和开发了很多种金属基复合材料(MMC)，它们是以金属(如Mg、Al、Cu、Ti)或金属间化合物(如TiAl、NiAl)为基体，以颗粒、晶须、短纤维或连续纤维为增强体的一种复合材料。国内外都有Al2O3弥散强化无氧高导铜产品，如美国SCM金属制品公司的Glidcop含有99．7％的铜和0．3％弥散分布的Al2O3。加入Al2O3后，热导率稍有减少，为365W(m-1K-1)，电阻率略有增加，为1．85μΩ·cm，但屈服强度得到明显增加。

 传统金属封装材料及其局限性芯片材料如Si、GaAs以及陶瓷基板材料如A12O3、BeO、AIN等的热膨胀系数(CTE)介于3×10-6-7×10-6K-1之间。金属封装材料为实现对芯片支撑、电连接、热耗散、机械和环境的保护，应具备以下的要求：①与芯片或陶瓷基板匹配的低热膨胀系数,减少或避免热应力的产生；此外，为解决封装的散热问题，各类封装也大多使用金属作为热沉和散热片。本文主要介绍在金属封装中使用和正在开发的金属材料，这些材料不仅包括金属封装的壳体或底座、引线使用的金属材料，也包括可用于各种封装的基板、热沉和散热片的金属材料。如果制备的Cu／W及Cu／Mo致密程度不高，则气密性得不到保证，影响封装性能。铝挤、DDG、粗铣内接着将铝合金板铣成手机机身需要的尺寸，方便CNC精密加工，接着是粗铣内腔，将内腔以及夹具定位的柱加工好，起到精密加工的固定作用。